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portada Design and Development of Low Voltage Process Invariant SRAM Cell (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Autor
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
176
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
22.9 x 15.2 x 1.0 cm
Peso
0.27 kg.
ISBN13
9786139448449
Categorías

Design and Development of Low Voltage Process Invariant SRAM Cell (en Inglés)

Amit Singh Rajput (Autor) · LAP Lambert Academic Publishing · Tapa Blanda

Design and Development of Low Voltage Process Invariant SRAM Cell (en Inglés) - Rajput, Amit Singh

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Reseña del libro "Design and Development of Low Voltage Process Invariant SRAM Cell (en Inglés)"

Low read stability and high leakage current are two major problems in Static Random-Access Memory (SRAM) at the scaled CMOS technology node. This Book provides stability, leakage and process variation analysis of a Schmitt Trigger and read buffer based differential 10T (hereafter called ST3) SRAM cell. The ST3 cell provides improve read stability, tight Read Static Noise Margin (RSNM) distribution due to simultaneously implementation of Schmitt trigger and read buffer technique. Moreover, ST3 cell consumes low leakage current because of stack transistor technique and higher process tolerance due to simultaneously implantation of Schmitt trigger and read buffer techniques. This ST3 cell may be an attractive choice for battery-operated applications such as implantable medical device and remote sensor at the nm technology node.

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