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portada Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Autor
Tema
Us Gr Iste
Idioma
Inglés
N° páginas
352
Encuadernación
Tapa Dura
Dimensiones
23.6 x 15.7 x 2.5 cm
Peso
0.73 kg.
ISBN
1848215975
ISBN13
9781848215979
Categorías

Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (en Inglés)

Consonni, Vincent ; Feuillet, Guy ; Baptist, Robert (Autor) · Wiley-Iste · Tapa Dura

Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (en Inglés) - Consonni, Vincent ; Feuillet, Guy ; Baptist, Robert

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Reseña del libro "Wide Band Gap Semiconductor Nanowires 1: Low-Dimensionality Effects and Growth (en Inglés)"

GaN and ZnO nanowires can by grown using a wide variety of methods from physical vapor deposition to wet chemistry for optical devices. This book starts by presenting the similarities and differences between GaN and ZnO materials, as well as the assets and current limitations of nanowires for their use in optical devices, including feasibility and perspectives. It then focuses on the nucleation and growth mechanismsof ZnO and GaN nanowires, grown by various chemical and physical methods. Finally, it describes the formation of nanowire heterostructures applied to optical devices.

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