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portada CÁLCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Na¿He: Propiedades estructurales, electrónicas, ópticas y termoeléctricas del Na¿He
Formato
Libro Físico
Editorial
Autor
Idioma
Español
N° páginas
52
Encuadernación
Tapa Blanda
ISBN13
9786630370751

CÁLCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Na¿He: Propiedades estructurales, electrónicas, ópticas y termoeléctricas del Na¿He

Jayalakshmi, D S;;;Suganya, B. (Autor) · Ediciones Nuestro Conocimiento · Tapa Blanda

CÁLCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Na¿He: Propiedades estructurales, electrónicas, ópticas y termoeléctricas del Na¿He - Jayalakshmi, D S;;;Suganya, B.

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Reseña del libro "CÁLCULO DE LA ESTRUCTURA ELECTRÓNICA DEL Na¿He: Propiedades estructurales, electrónicas, ópticas y termoeléctricas del Na¿He"

Se ha llevado a cabo un estudio computacional de las propiedades estructurales y electrónicas del NäHe utilizando el código WIEN2K, mediante el método de onda plana aumentada linealizada (LAPW) de potencial completo (FP) basado en la teoría del funcional de la densidad (DFT). Con el fin de obtener una descripción razonable de las propiedades estructurales, electrónicas, ópticas y térmicas del compuesto NäHe, se han realizado los cálculos correspondientes. Además, en este estudio se ha determinado la estructura superficial de este compuesto mediante la creación de una supercelda con diferentes espesores de capa y se han comparado las propiedades con las del NäHe.Se han calculado los parámetros estructurales -a saber, la constante de red, la longitud de enlace y los ángulos de enlace-, los parámetros electrónicos -como la banda prohibida, la densidad de estado (DOS) y la estructura de bandas- y las constantes ópticas fundamentales -como la función dieléctrica, la conductividad óptica, la refracción y la reflectividad-, así como las propiedades termoeléctricas; los resultados concuerdan bien con los estudios experimentales y son similares a los del compuesto utilizado como referencia, que ya se había estudiado anteriormente. El NäHe presenta una banda prohibida directa situada en el punto de simetría ¿ de la zona de Brillouin. Estos materiales son idóneos para dispositivos optoelectrónicos.

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