Name: Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)
Price: 35353.00 CRC
Availability: InStock
Author: Kaschieva, Sonia ; Dmitriev, Sergey N.
ISBN: 9786200995759

portada Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)

Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)

Formato

Libro Físico

Autor

Sonia Kaschieva

Sergey N. Dmitriev

Editorial

Edizioni Sapienza

Idioma

Italiano

N° páginas

172

Encuadernación

Tapa Blanda

Dimensiones

22.9 x 15.2 x 1.0 cm

Peso

0.26 kg.

ISBN13

9786200995759

Categorías

Física

Irradiazione di elettroni MeV delle eterostrutture Si (en Italiano)

Sonia Kaschieva (Autor) · Sergey N. Dmitriev (Autor) · Edizioni Sapienza · Tapa Blanda

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E' stata studiata la generazione di difetti di radiazione mediante irradiazione di elettroni MeV ad alta energia di tipo n e p- struttura Si-SiO2 con diversi tipi di ossidi. I cambiamenti morfologici di ossido di SiO2 durante l'irradiazione di elettroni MeV è stato osservato da AFM. Si + strutture Si-SiO2 impiantato ioni Si + impiantato strutture Si-SiO2 prima e dopo l'irradiazione di elettroni MeV sono presentati. La ridistribuzione di atomi di ossigeno e di silicio e la generazione di nanocristalli Si durante l'irradiazione di elettroni MeV è stata osservata da RBS / C e AFM tecniche rispettivamente. Proprietà ottiche, fotoluminescenza e studi spettroscopici di film di SiOx irradiati con elettroni MeV sono anche effettuati.

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